联发科下一代芯片采用英特尔EMIB-T封装 2027年量产用于AI及TPU

去年下半年以来，芯片设计行业出现了一个值得关注的趋势：越来越多企业开始认真评估英特尔EMIB先进封装技术，探索“前端投片台积电，后端封装英特尔”的路线。根本原因在于台积电的先进封装产能持续紧张，扩产速度无法满足订单需求，厂商不得不寻找替代方案。

最新消息来自联发科。据Wccftech报道，联发科已公开表示，下一代芯片计划采用英特尔EMIB-T封装，目标是在2026年第四季度完成流片，2027年第四季度进入量产。目前尚不清楚具体哪些芯片会采用该技术，可能涉及定制AI芯片或SoC。

值得注意的是，有传闻称联发科已开始增加新供应商，专门应对EMIB-T封装订单需求。对英特尔代工业务而言，这无疑是一项战略性胜利。过去几个月，半导体供应链持续讨论一个话题：谷歌计划2027年发布的TPU v9也可能会采用EMIB封装。而联发科作为谷歌定制TPU的合作伙伴，很可能一并参与了英特尔封装技术的评估。

EMIB与EMIB-T技术解析

先说明EMIB的核心原理。EMIB全称为嵌入式多芯片互连桥接，是首个2.5D嵌入式桥接解决方案。英特尔自2017年起就开始出货相关产品。其核心思路是利用小型嵌入式硅桥，在单个封装内部连接多个小芯片，从而省去大型中介层，达到节省空间、降低成本的效果。

而EMIB-T可视为EMIB的升级版。它在两个关键维度上进行了提升：封装供电效率与芯片间通信速度。传统EMIB连接存在一个突出短板——由于采用悬臂式供电路径，电压降较高。EMIB-T通过在芯片封装底部使用硅通孔（TSV），让电流直接通过TSV桥接芯片供电，形成一条低电阻供电路径。这一改进对HBM4/4E集成尤为重要。同时，TSV也提升了芯片间通信带宽，配合UCIe-A互连技术，数据传输速率可达32Gb/s甚至更高。