三星HBM4良率达70% SK海力士美光加速追赶

HBM4良率竞赛白热化：三星率先突破70%，SK海力士与美光加速追赶

7月22日，HBM4领域迎来重要进展：第六代高带宽存储器已在AI加速芯片上完成技术落地。三星、SK海力士和美光三大存储巨头围绕良率展开激烈竞争，良率直接决定交付量与盈利能力，落后一步可能面临出局风险。

三星HBM4量产先行，良率接近70%

三星率先实现HBM4规模化量产，业界估算其良率已接近70%。这一成绩得益于年初稳定超过80%的1C制程DRAM带动。三星在良率管控方面表现出色，目前明显处于领先地位。

SK海力士稳守份额，美光加速追赶

SK海力士虽未公布具体数字，但业内普遍认为其良率已进入稳定区间。为守住超过半数的HBM市场份额，该企业正洽谈引进新设备，通过优化制程扩大产能，避免三星一家独大。

美光面临更紧迫的局势。其产能基础相对薄弱，正加速推动良率爬坡，同步进行大规模设备投资，全力提升产出能力。三大厂商的竞争焦点已全面回归HBM主线。

业内分析：三星抢占先机，但SK海力士仍有反超潜力

业内人士指出，三星抢先落地量产带来的业绩增量已在第二季度财报中体现，这一趋势可能在下半年延续。不过，三星虽占得先机，SK海力士凭借HBM3时代的深厚积累，仍具备反超能力。随着Vera Rubin等AI加速芯片逐步进入量产导入阶段，全球前三强在HBM4良率上的博弈将持续加剧。