碳化硅器件价格止跌趋稳 高压MOS IGBT仍有涨价空间

碳化硅功率器件价格走势：止跌趋稳，高压MOS与IGBT仍具上涨空间

半导体市场近期最受关注的焦点之一，便是碳化硅功率器件的价格走势。6月27日，三安光电内部人士透露，目前国内碳化硅功率半导体尚未出现涨价迹象，准确来说，其价格已从下跌中稳定下来，进入“止跌趋稳”的区间。与此同时，中科英智基金合伙人王洲则给出了更为积极的判断——碳化硅今年已展现出反转趋势，高压MOS、IGBT等产品呈现出较大的价格上涨弹性，且这种上涨空间在下半年仍可能继续释放。