马斯克联手Intel打造512GB全新内存 性能超越HBM
作者:技术拾光时间:2026-06-09 12:06:12浏览:441
马斯克与Intel联手开发新型ZAM内存,单条容量达512GB,功耗较HBM降低40%至50%,有望显著缓解AI领域内存短缺及价格高企问题,但量产时间尚未确定。
6月8日消息,当前内存价格已经飙到了令人咋舌的高度——别说手机和PC行业在叫苦,就连最不缺钱的AI行业,也正在承受缺货和涨价的双重夹击。

内存供应瓶颈与三大巨头的盈利策略
考虑到三星、SK海力士和美光这三大巨头,为了保住自家利润,并不愿意大幅增产内存,光指望现有厂商显然没戏了。能打破产能僵局的,可能是国内公司,但更值得关注的,是马斯克和Intel。马斯克TeraFab晶圆厂计划:瞄准1TW算力产能
两个月前,马斯克抛出了自己的TeraFab晶圆厂计划,野心大得惊人——目标是打造1TW算力的芯片产能,包含10个模块化工厂,每个模块月产能10万片晶圆,最终实现月产100万片,起步阶段也有每月10万片。值得注意的是,这个工厂并不只是生产逻辑芯片,而是要把逻辑芯片、内存芯片和先进封装整合到一起,每年产出的芯片数量在1000亿到2000亿颗之间。Intel加入合作,直指AI存储瓶颈
计划公布后,Intel迅速宣布加入。TeraFab工厂很有可能会采用Intel的14A工艺来生产芯片。但双方的目标远不止逻辑芯片——还会合作存储芯片,毕竟AI目前真正的瓶颈在于存储,而不是计算。最新传闻显示,双方正在联手研究内存解决方案,甚至考虑开发HBM的变种方案。 在这个领域,TeraFab有需求,Intel也有技术底子。虽然Intel现在不生产内存了,但它起家靠的就是内存芯片,在存储技术研发上从未完全放下。
ZAM内存:容量512GB、功耗降低40%至50%的HBM替代方案
两家合作的内存,很可能就是前不久传闻的ZAM内存。这项技术最初由Intel和软银旗下公司共同开发。和HBM一样,它也采用芯片堆栈技术,但布线方式完全不同——它运用交错互连拓扑结构,以对角线“Z字形”布线优化芯片堆叠布局。 相比HBM,ZAM的优势非常突出:单芯片容量可达512GB,远超当前HBM,同时功耗还降低了40%到50%——而这正是当前HBM内存的两大痛点。 如果马斯克能和Intel联手搞定ZAM内存的量产,AI市场就多了一个强有力的HBM替代品,自然能缓解眼下内存价格居高不下、供应短缺的局面。虽然ZAM内存未必能直接用到消费级PC市场,但只要AI需求得到解决,DDR、LPDDR内存在供应上也不会再被挤占,价格迟早会回归理性。合作前景与量产时间线的不确定性
不过,Intel和TeraFab的合作目前仍是未知数,ZAM内存何时能量产还没有确定时间表。两三年内恐怕希望不大,而这个时间窗口,恰恰是决定一切的关键。
