美光HBM4加速增产 HBM4E明年将大规模投产

高带宽内存（HBM）的竞争正迈入关键新阶段。据韩媒The Elec报道，美光科技在推进第六代HBM4量产的同时，已将目光投向下一代产品HBM4E，并计划于明年启动其量产。

在近日的摩根大通投资者会议上，美光科技全球运营执行副总裁马尼什·巴蒂亚透露，当前HBM4的产能爬坡速度已达到去年12层HBM3E产品的约两倍，良率提升曲线也更为陡峭。这款HBM4主要面向英伟达即将推出的Vera Rubin AI计算平台。

美光加速HBM4量产的三重驱动力

美光此次产能提速背后，主要存在三大驱动因素。

首先是经验积累。从HBM3到12层堆叠的HBM3E，整个量产过程中积累的经验与学习效应，为HBM4的快速上量奠定了基础。

其次是核心技术迭代。HBM4的核心裸片采用了美光自家的10纳米级第五代1-beta（1β）工艺。该工艺节点已成为美光主力，在性能与良率稳定性方面均经过充分验证，为HBM4量产提供了技术保障。

第三是内部设计优化。美光将1β DRAM与自主设计制造的基础裸片深度结合，通过协同优化提升了产品整体质量与性能。

HBM4E：工艺与供应链的策略转变

在下一代HBM4E上，美光的策略出现了明显调整，主要体现在工艺与供应链两方面。

工艺方面，HBM4E的核心裸片将从1β工艺转向更先进的10纳米级第六代1-gamma（1γ）工艺。该节点是美光首次引入ASML极紫外（EUV）光刻设备的工艺，在行业层面与三星、SK海力士的第六代10纳米级1c工艺对标，标志着头部厂商在制程上进入新竞争阶段。

供应链方面，HBM4E的基础裸片将不再由美光自行生产，转而交由台积电代工。巴蒂亚表示，HBM4E开发进展顺利，目标明年启动量产。首批产品将遵循JEDEC标准，同时美光也在开发针对特定客户需求的高性能定制版本。

三大存储巨头竞逐HBM4E市场

除美光外，三星电子与SK海力士也在积极推进HBM4E研发。

三星计划较为激进，目标在今年第二季度向客户提供首批HBM4E样品。其基础裸片将由自家晶圆代工部门采用4纳米工艺制造，展现内部垂直整合优势。

SK海力士节奏相对稳健，计划今年下半年提供样品，明年开始量产。其供应链选择与美光相似，继续由台积电代工基础裸片，并据悉将采用更先进的3纳米工艺。

除HBM高端产品线外，美光在整体产能规划上也已明确布局。公司预计，到今年年中，基于新1γ工艺生产的DRAM以及第九代NAND闪存产品，将占公司总位元出货量一半以上。其中，1γ DRAM有望成为美光晶圆产量规模最大的单一DRAM工艺节点，标志着其内部正进行全面技术迭代。