三星展示全球首款5nm MRAM研发成果，2027年量产

三星推出全球首款5nm MRAM 车规级标准满足严苛环境

在2026年度IEEE VLSI研讨会上，三星电子展示了全球首款5nm MRAM（磁性随机存取存储器）的研发成果。据韩国媒体SEDaily报道，这一消息在半导体存储领域引起了广泛关注。

▲ MRAM 结构示意

非易失性带来能效优势

相较于常见的DRAM，MRAM最显著的特点在于其非易失性。简单而言，断电后数据不会丢失，无需像DRAM那样持续刷新以维持数据。这一特性使其在能效方面展现出明显优势。

宽温工作范围 符合车规级AEC-Q100标准

三星这款5nm MRAM的工作温度范围从零下40度扩展至零上150度，已满足AEC-Q100车规级标准的要求，完全适用于汽车等严苛使用环境。三星方面正在稳步推进量产计划，目标在2027年实现量产。

从8nm到5nm 技术路线加速推进

值得注意的是，三星今年早些时候已在另一学术会议上展示了8nm MRAM。基于8nm版本制作的边缘AI芯片，已于今年5月完成流片。从8nm到5nm，这条技术路线的推进速度值得关注。