国产高端半导体检测设备正式发布，多项性能指标超越国际同类

国产半导体检测设备再突破：凌光红外发布国内首款EMMI+OBIRCH二合一显微镜

从行业视角来看，半导体产业的每一次技术跃进，都离不开精准的检测手段作为支撑。近期，国内半导体检测设备领域迎来重要进展——凌光红外正式推出LUXET VERITAS微光显微镜及激光诱导电阻变化（EMMI+OBIRCH）二合一显微镜。这是国内首款实现此类集成化设计的电性失效分析设备，标志着国产装备在半导体产业链自主可控的进程中，又迈出了关键一步。

当前，全球半导体产业已进入先进制程时代，芯片内部结构日益精密复杂，传统检测手段往往难以应对。电性失效分析作为芯片研发迭代、良率提升和品质保障的核心环节，其重要性愈发凸显。凌光红外正是在这一背景下，深耕光学成像与精密检测领域，坚持正向研发，持续攻关电性失效分析核心技术。

在产品布局方面，该公司此前已推出锁相红外显微镜、微光显微镜、激光诱导电阻变化显微镜等系列产品，多项性能指标达到或超越国际同类产品。此次发布的二合一集成设备，将EMMI微光检测与OBIRCH激光诱导电阻变化两大主流失效分析功能深度融合，实现“一机两用”，高度集成，全面覆盖半导体全链条检测需求。

在核心硬件与性能参数上，该设备搭载深度制冷近红外相机和大口径自研1.35倍物镜。EMMI模块能够精准定位纳安级微弱漏电，高效识别PN结击穿、闩锁效应、栅极氧化层漏电、多晶硅缺陷等典型失效问题。OBIRCH模块则采用1300nm标准激光波段、500mW额定功率，可实现pA级超高精度电流放大测量，精准排查金属线路、导通孔、接触孔阻值异常等隐蔽缺陷。这正是关键所在——许多失效问题隐藏在这些细节中，传统设备往往难以发现。

自2025年落地合肥科大硅谷片区以来，凌光红外加速推进核心技术产业化，多款产品先后获评合肥市“三新”产品、安徽省首台套重大技术装备国际先进认定。更重要的是，依托产业链专场场景对接会，企业与合肥半导体产业链链主企业实现精准对接，并逐步建立起稳定合作关系。这意味着，国产高端半导体检测设备在本地产业链中的应用推广，已迈出坚实一步。